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POWER CYCLE (Tables 3A ..3H)
TABLE 3A: MOSFET/IGBT single device
Date Code
Number
# Part Number or Tj(max)
ΔΤ
of
Sample
Failures
Device Cycles
Remark
Test # [°C]
[K]
Cycles
Size
1 IXBH9N160G 1759 125
2 IXDH30N120D1 1940 125
3 IXFN82N60P SP0551 -
4 IXFX73N30Q SK0613 -
5 IXFX90N30 SK0613 -
6 IXGQ85N33PCD1 SK0614 -
7 IXGQ90N27PB SK0611 -
8 IXKH20N60C5 1987 125
9 IXKP13N60C5M 1716 125
10 IXSH30N60B2D1 SP0506 -
11 IXTP14N60PM K643 -
12 IXTP18N60PM K631 -
13 IXTQ26N50P SK0604 -
14 IXTQ76N25T SK0613 -
15 IXTQ96N20P SS0631 -
80
80
100
100
100
100
100
80
80
100
50
50
100
100
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240000
40000
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240000
240000
240000
240000
240000
240000
TABLE 3B: MOSFET/IGBT Module
Date Code
Number
# Part Number or
Tj(max)
ΔΤ
of
Sample
Failures
Device Cycles
Remark
Test #
[°C]
[K]
Cycles
Size
1 GWM160-0055X1-SL
1960
150
100
3000
80
0
240000
2 MIAA20WD600TMH 1844
3 MKI75-06A7 1464
4 MKI75-06A7T 1676
5 MKI75-06A7T 1772
6 MKI75-06A7T 1776
7 MUBW20-06A7 1735
125
125
125
125
125
125
80
80
80
80
80
80
10000
10000
10000
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7130
9
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10
10
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0
0
0
0
0
0
90000
100000
100000
50000
100000
71300
TABLE 3C: Thyristor/Diode Module
Date Code
Number
# Part Number or
Tj(max)
ΔΤ
of
Sample
Failures
Device Cycles
Remark
Test #
[°C]
[K]
Cycles
Size
1 MCC162-12io1 2056
2 MCC56-14io1 1472
3 MCD40-16io6 1474
4 MDD95 1875
5 MDD95-18N1 1971
125
125
125
125
125
80
80
80
80
80
10000
20000
5000
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20000
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10
10
10
10
0
0
0
0
0
100000
200000
50000
300000
200000
TABLE 3D: Controller, Rectifier Bridge
Date Code
Number
# Part Number or Tj(max)
ΔΤ
of
Sample
Failures
Device Cycles
Remark
Test # [°C]
[K]
Cycles
Size
1 VBO19-16DT1 2011 125
2 VBO40-16NO6 1860 125
3 VUO121-16NO1 2071 125
4 VUO190-18NO7 2026 125
5 VUO80-16 1456 125
80
80
80
80
80
5000
5000
20000
2000
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IXYS Semiconductor GmbH
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IXTQ30N50L2 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N50P 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N60L2 功能描述:MOSFET 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N60P 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ36N20T 功能描述:MOSFET 36 Amps 200V 60 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ36N30P 功能描述:MOSFET 36 Amps 300V 0.11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ36N50P 功能描述:MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube